Przewodzące płytki z węglika krzemu SiC – podłoże monokrystaliczne 10x10 mm do urządzeń mocy i RF, opakowanie 1 szt.(T: 350μm 4H-N Conduction Type)

- płytki z przewodzącego węglika krzemu przeznaczone do zaawansowanych zastosowań półprzewodnikowych.
- Doskonale nadaje się do wytwarzania urządzeń elektroenergetycznych na bazie węglika krzemu i urządzeń mikrofalowych RF metodą wzrostu epitaksjalnego.
- Dostępne w dostosowywanych grubościach: 350 μm, 430 μm i 1000 μm, aby spełnić określone wymagania projektu.
- Niezbędne materiały bazowe dla rozwoju przemysłu półprzewodników trzeciej generacji.
- W każdym opakowaniu znajduje się jedna płytka krystaliczna o wymiarach 10x10 mm, idealna do celów badawczo-rozwojowych.