Wysokowydajne przewodzące płytki z węglika krzemu SiC – podłoże monokrystaliczne do urządzeń zasilających i(T: 350μm 4H-N Conduction Type)

- Wysokiej ści przewodzące płytki z węglika krzemu przeznaczone do zaawansowanych zastosowań substratów półprzewodnikowych w urządzeniach mocy i .
- Idealny do produkcji urządzeń zasilających na bazie węglika krzemu i mikrofalowych urządzeń przy użyciu najnowocześniejszych technik wzrostu epitaksjalnego.
- Dostępne w dostosowywalnych opcjach grubości 350 μm, 430 μm i 1000 μm, aby dopasować się do różnych wymagań i specyfikacji projektu.
- Niezbędne materiały podstawowe dla szybko rozwijającego się przemysłu półprzewodników trzeciej generacji, zapewniające wyjątkową wydajność i niezawodność.
- Każde opakowanie zawiera jedną płytkę kryształową o wymiarach 10 x 10 mm, starannie wykonaną z myślą o precyzji i wydajności w procesach produkcji urządzeń.